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已選條件

分類薄膜沉積設備CVD

產(chǎn)品分類

等離子增強化學氣相沉積PECVD
型號：參考價：￥咨詢

應用方向：高質(zhì)量pecvd沉積氮化硅和二氧化硅，用于光子學、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途；用于高亮度led生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕的研制和生產(chǎn)。

所在地：中國大陸
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化學氣相沉積MOCVD
型號：參考價：￥咨詢

1. mocvd設備是通過將反應物質(zhì)以有機金屬化合物氣體分子的形式，經(jīng)載帶氣體送到反應室，進行熱分解反應而生長出薄膜材料2. 應用方向：ga2o3,gan, inp, gaas, insb..

所在地：中國大陸
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低壓化學氣相沉積系統(tǒng)LPCVD
型號：參考價：￥咨詢

1.滿足石墨烯和碳納米管研究的高溫和快速冷卻要求2.直徑200毫米的石英室3.內(nèi)部石英管的設計便于拆卸和清洗4.基片尺寸可達直徑150毫米5.三區(qū)電阻爐，150毫米的均勻溫度區(qū)6.溫度高可..

所在地：中國大陸
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原子層沉積
型號： Genesis ALD 參考價：￥咨詢

用于電池、太陽能和柔性電子產(chǎn)品的功能性原子層沉積涂層。 genesis ald 是涂布任何卷筒格式基材以及多種功能應用的理想選擇。多種 ald 材料可供選擇，可滿足您的要求。多年來，be..

所在地：中國大陸
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部件鍍膜設備
型號：Batch Type 參考價：￥咨詢

實現(xiàn)高大量生產(chǎn)率的高真空基礎in-line sputter

所在地：其它
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汽車車燈濺射鍍膜系統(tǒng)
型號：Automotive Lamp Reflector 參考價：￥咨詢

本裝置是為了在汽車用head lamp部分提高al的附著性,用plasma,al sputter,cvd法實施sio2 top coating的設備,是縮短生產(chǎn)時間,工序和佳的matchi..

所在地：其它
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原子層沉積ALD
型號：ALD-150LE™ 參考價：￥咨詢

kurt j. lesker company （kjlc） ald150le™是我們但其靈活的原子層沉積（ald）系統(tǒng)，為入門到中用戶而設計。該ald150le™..

所在地：美洲
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PD-2201LC 化學氣相沉積設備
型號：參考價：￥咨詢

pd-2201lc 是一種盒式裝載等離子體增強化學氣相沉積 (pecvd) 設備，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統(tǒng)在節(jié)省空間的提下提供了pecvd的所有標準功能..

所在地：歐洲
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原子層沉積ALD
型號：ALD-150LX™ 參考價：￥咨詢

kurt j. lesker company （kjlc） ald150lx™是一種原子層沉積（ald）系統(tǒng)，為高研發(fā) （r&d）應用而設計。創(chuàng)新的ald150lx設計功..

所在地：美洲
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PD-3800L 化學氣相沉積（PECVD）系統(tǒng)
型號：參考價：￥咨詢

pd-3800l 化學氣相沉積系統(tǒng)是一種能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的鎖載等離子體增強化學氣相沉積（pecvd）系統(tǒng)。該系統(tǒng)由于采用了大型反應室，并通過載盤裝載多片..

所在地：中國大陸
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PD-3800L 化學氣相沉積 (PECVD) 系統(tǒng)
型號：參考價：￥咨詢

pd-220nl 是一種負載鎖定等離子體增強化學氣相沉積 (pecvd) 系統(tǒng)，能夠沉積硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。該系統(tǒng)以非常緊湊的占地面積提供了pecvd的所有標準功..

所在地：歐洲
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PD-100ST 等離子體增強CVD系統(tǒng)
型號：參考價：￥咨詢

pd-100st是一種用于研發(fā)的低溫(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)等離子體增強cvd系統(tǒng)。samco的液態(tài)源cvd系統(tǒng)采用自偏置沉積技術和液態(tài)teos源，以低應力..

所在地：歐洲
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PD-270STLC 等離子體增強CVD系統(tǒng)
型號：參考價：￥咨詢

pd-270stlc是一種低溫(80 ~ 400°c)、高速(>300 nm/min)的等離子體增強cvd系統(tǒng)，可用于大規(guī)模生產(chǎn)。samco的液態(tài)源cvd系統(tǒng)采用自偏置沉積技術和液態(tài)teo..

所在地：歐洲
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PD-200STL 等離子體增強型CVD系統(tǒng)
型號：參考價：￥咨詢

pd-200stl是一種用于研發(fā)的低溫(80~400℃)、高速(>300nm/min)等離子體增強型cvd系統(tǒng)。samco的液態(tài)源cvd系統(tǒng)采用自偏置沉積技術和液態(tài)teos源，以低應力沉積..

所在地：歐洲
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等離子增強化學氣相沉積PECVD
型號：PlasmaPro 100 PECVD 參考價：￥咨詢

設計pecvd工藝模式的目的是要在控制薄膜性能，如折射率、應力、電學特性和濕法化學刻蝕速率的提下，生產(chǎn)均勻性好且沉積速率高的薄膜。plasmapro 100 pecvd 由于電溫度均勻性和..

所在地：中國大陸
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等離子增強化學氣相沉積PECVD
型號：PlasmaPro 800 參考價：￥咨詢

plasmapro 800 為大批量晶圓和 300mm 晶圓的等離子增強化學氣相沉積（pecvd）工藝提供了靈活的解決方案，它采用了緊湊的開放式裝載系統(tǒng)�？蓪崿F(xiàn)大型晶圓大規(guī)模的批量生產(chǎn)..

所在地：中國大陸
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等離子增強化學氣相沉積PECVD
型號：PlasmaPro 80 PECVD 參考價：￥咨詢

plasmapro 80是一種結(jié)構(gòu)緊湊且使用方便的小型直開式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開式設計可實現(xiàn)快速晶圓裝卸，是研究、原型設計..

所在地：中國大陸
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等離子增強化學氣相沉積PECVD
型號：PlasmaPro 1000 參考價：￥咨詢

提供大面積刻蝕與沉積的量產(chǎn)型解決方案，led工業(yè)要求高產(chǎn)量，高器件質(zhì)量和低購置成本。 plasmapro 1000更好地解決了這些需求。

所在地：中國大陸
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UV-300HC 紫外線臭氧清洗設備
型號：參考價：￥咨詢

uv-300hc是一款高性能的盒式裝載uv臭氧清洗機，用于生產(chǎn)。這個行業(yè)先的系統(tǒng)有2個裝載盒，可以達到200-300nm/min的高灰化率。該系統(tǒng)利用紫外線照射、高濃度臭氧和可控階段加熱的..

所在地：歐洲
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等離子體沉積ALD AD-230LP
型號：參考價：￥咨詢

ad-230lp是一種原子層沉積（ald）系統(tǒng)，能夠在原子水平上控制薄膜厚度。有機金屬原料和氧化劑交替供給反應室，僅通過表面反應進行薄膜沉積。該系統(tǒng)具有負載鎖定室，且不向大氣開放反應室，因..

所在地：中國大陸
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