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刻蝕機(jī)終端檢測(cè)設(shè)備
型號(hào)：定制方案參考價(jià)：￥咨詢

刻蝕機(jī)終端檢測(cè)設(shè)備基本原理：通過(guò)特定波長(zhǎng)譜線的強(qiáng)度變化來(lái)反映是否達(dá)到刻蝕終點(diǎn)。

所在地：中國(guó)大陸
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有掩膜光刻機(jī)
型號(hào)：定制方案參考價(jià)：￥咨詢

?1.手動(dòng)、半自動(dòng)、全自動(dòng)有掩膜光刻機(jī)?2.高分辨率掩模對(duì)準(zhǔn)光刻，特征尺寸優(yōu)于0.5微米?3.基片尺寸可滿足4、6、8、12英寸?4.經(jīng)過(guò)特殊設(shè)計(jì)，方便處理各種非標(biāo)準(zhǔn)基片、例如混合、高頻元..

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無(wú)掩膜/激光直寫光刻機(jī)
型號(hào)：TP9000 參考價(jià)：￥咨詢

tp9000多路溫度記錄儀是一款支持多種溫度傳感器（熱電偶、熱電阻）同時(shí)測(cè)試記錄，連接4g、wifi無(wú)線模塊，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)遠(yuǎn)傳，隨時(shí)隨地查看實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)超限手機(jī)微信/短信/電話等方式及時(shí)報(bào)警

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電子束光刻系統(tǒng)
型號(hào)：參考價(jià)：￥咨詢

產(chǎn)品介紹：keysight b1500a 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款一體化器件表征分析儀，能夠測(cè)量 iv、cv、脈沖/動(dòng)態(tài) i-v 等參數(shù)。主機(jī)和插入式模塊能夠表征大多數(shù)電子器件、材料、半導(dǎo)..

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納米壓印系統(tǒng)
型號(hào)：參考價(jià)：￥咨詢

1.支持基底材料：硅片、玻璃、石英、塑料、金屬等2.納米壓印技術(shù)：旋涂膠基底高精度壓印&點(diǎn)膠自動(dòng)找平壓印、旋涂膠基底壓印、點(diǎn)膠自動(dòng)找平壓印模式3.壓印精度：優(yōu)于10nm4.自動(dòng)壓印/自動(dòng)脫..

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實(shí)驗(yàn)型勻膠機(jī)
型號(hào)：參考價(jià)：￥咨詢

1. 適用基片尺寸：小于1cm小碎片及到8寸標(biāo)準(zhǔn)晶圓，非標(biāo)準(zhǔn)基片可定制載物盤2. 自動(dòng)滴膠功能3. 支持去邊、背洗、勻膠、顯影、清洗、控溫等功能模塊個(gè)性化定制 4. 轉(zhuǎn)速范圍：20-100..

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噴涂膠機(jī)
型號(hào)：參考價(jià)：￥咨詢

產(chǎn)品介紹：1.在噴涂法中，噴嘴將要涂抹的溶液噴在晶圓上。經(jīng)過(guò)優(yōu)化后的晶圓上方噴嘴移動(dòng)路徑可以實(shí)現(xiàn)在襯底上均勻的涂層。噴涂所用的液體通常粘度低，以確保形成細(xì)小的液滴v 噴涂法即使在凹凸圖形..

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實(shí)驗(yàn)型顯影機(jī)
型號(hào)：參考價(jià)：￥咨詢

產(chǎn)品介紹：1.全封閉式桌面顯影機(jī)，主要用于半導(dǎo)體制造中晶片的顯影工藝，設(shè)備配有一路顯影和一路水、一路氣吹功能，并且噴嘴位置可程控移動(dòng)，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)顯影和清洗作業(yè)22.支持wafer尺寸：碎片至..

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等離子清洗&去膠機(jī)
型號(hào)：參考價(jià)：￥咨詢

1. 用途：材料清洗、材料活化、材料刻蝕、材料涂覆2. 80 khz：功率 1000 或 3000 w 13.56 mhz：功率 0 - 300 w；0 - 600 w；0 - 10..

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槽式濕法刻蝕清洗設(shè)備
型號(hào)：參考價(jià)：￥咨詢

應(yīng)用域：rca清洗，濕法去膠，介質(zhì)層濕法刻蝕，金屬層濕法刻蝕，爐管清洗等

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電鍍?cè)O(shè)備
型號(hào)：參考價(jià)：￥咨詢

1. 應(yīng)用域：pillar，bump，rdl，tsv等工藝2. 晶圓尺寸：150mm~300mm

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磁控濺射鍍膜機(jī)Sputter
型號(hào)：參考價(jià)：￥咨詢

應(yīng)用域：巨磁電阻（gmr）、組合材料科學(xué)（cms）、半導(dǎo)體、超導(dǎo)體、納米器件、光子學(xué)、光伏（pv）、oled（發(fā)光二管）、有機(jī)薄膜

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熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)Thermal Evaporation
型號(hào)：參考價(jià)：￥咨詢

設(shè)備用途：熱蒸發(fā)是指把待鍍膜的基片或工件置于真空室內(nèi)，通過(guò)對(duì)鍍膜材料加熱使其蒸發(fā)氣化而沉積于基體或工件表面并形成薄膜或涂層的工藝過(guò)程�？稍诟哒婵障抡舭l(fā)高質(zhì)量的不同厚度的金屬薄膜。蒸鍍薄膜種..

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電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)E-Beam
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產(chǎn)品介紹 1.系統(tǒng)主要由蒸發(fā)室、主抽過(guò)渡管路、旋轉(zhuǎn)基片架、光加熱系統(tǒng)、電子槍及電源、石英晶體振蕩膜厚監(jiān)控儀、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)等部分組成2.設(shè)備用途：本系統(tǒng)配有一套電子..

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脈沖激光沉積鍍膜機(jī)PLD
型號(hào)：參考價(jià)：￥咨詢

設(shè)備用途：是一種利用激光高能量脈沖輻射沖擊固體靶時(shí)，激光與物質(zhì)之間的所有物理相互作用，亦包括等離子羽狀物的形成，其后已熔化的物質(zhì)通過(guò)等離子羽狀物到達(dá)已加熱的基片表面的轉(zhuǎn)移，及后物質(zhì)沉淀在不..

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等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD
型號(hào)：參考價(jià)：￥咨詢

應(yīng)用方向：高質(zhì)量pecvd沉積氮化硅和二氧化硅，用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途；用于高亮度led生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕的研制和生產(chǎn)。

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電感耦合等離子體刻蝕ICP
型號(hào)：參考價(jià)：￥咨詢

應(yīng)用方向：1.iii-v族材料的刻蝕工藝2.固體激光器inp刻蝕3.vcsel gaas/algaas刻蝕4.射頻器件低損傷gan刻蝕5.硅 bosch和超低溫刻蝕工藝6.類金剛石（dlc..

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反應(yīng)性離子刻蝕系統(tǒng)RIE
型號(hào)：參考價(jià)：￥咨詢

1.可為多種材料提供各向異性干法刻蝕工藝2.兼容200mm以下所有尺寸的晶圓，快速更換到不同尺寸的晶圓工藝3.電的適用溫度范圍寬，-150°c至400°c

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離子束刻蝕系統(tǒng)IBE
型號(hào)：參考價(jià)：￥咨詢

離子束刻蝕的靈活性、均勻性俱佳且應(yīng)用范圍廣。我們的設(shè)備具有靈活的硬件選項(xiàng)，包括直開式、單襯底傳送模式和盒式對(duì)盒式模式。系統(tǒng)配置與實(shí)際應(yīng)用緊密協(xié)調(diào)，以確保獲得速率更快且重復(fù)性更好的工藝結(jié)果

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深硅刻蝕系統(tǒng)DEEP SI ETCH
型號(hào)：參考價(jià)：￥咨詢

應(yīng)用方向：提供深硅蝕刻（dsie）域的mems，先進(jìn)封裝和納米技術(shù)的廣泛應(yīng)用，從光滑側(cè)壁工藝到高刻蝕速率腔刻蝕、高深寬比工藝和錐形通孔刻蝕，不需要更換腔室硬件就可以實(shí)現(xiàn)

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