1. 產(chǎn)品概述
脈沖激光沉積鍍膜機(jī)PLD 系統(tǒng)主要由真空室、旋轉(zhuǎn)靶臺(tái)、基片加熱臺(tái)、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)、真空測(cè)量及電控系統(tǒng)等部分組成。
2. 設(shè)備用途
脈沖激光沉積鍍膜機(jī)PLD 是一種利用激光高能量脈沖輻射沖擊固體靶時(shí)，激光與物質(zhì)之間的所有物理相互作用，亦包括等離子羽狀物的形成，其后已熔化的物質(zhì)通過等離子羽狀物到達(dá)已加熱的基片表面的轉(zhuǎn)移，及后物質(zhì)沉淀在不同的襯底上，得到沉淀或者薄膜的一種手段。PLD非常適合生長多元氧化物的多層膜和異質(zhì)膜，輕松實(shí)現(xiàn)對(duì)化學(xué)成分較復(fù)雜的復(fù)合物材料進(jìn)行材料生長。在生長過程中還可以實(shí)現(xiàn)引入活性或惰性及混合氣等工藝氣體，以提高薄膜生長品質(zhì)。
3. 技術(shù)參數(shù)
基片尺寸：8inch（可向下兼容）
加熱溫度：1000℃ 加熱方式：輻射加熱
靶材：3*4”
真空度：5*10-7Pa
氣路系統(tǒng)：氧氣、氮?dú)狻鍤?/span>
模塊：PLD+進(jìn)樣室
激光窗口：配有閘板閥
光路系統(tǒng)：激光掃描功能
4. 企業(yè)簡(jiǎn)介
深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司是集半導(dǎo)體儀器裝備代理及技術(shù)服務(wù)的技術(shù)企業(yè)。
致力于提供半導(dǎo)體制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導(dǎo)體分析測(cè)試設(shè)備、半導(dǎo)體光電測(cè)試儀表及相關(guān)儀器裝備維護(hù)、保養(yǎng)、售后技術(shù)支持及實(shí)驗(yàn)室整體服務(wù)。
公司已授實(shí)用新型權(quán)利 29 項(xiàng)，軟件著作權(quán) 14 項(xiàng)，是創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。
關(guān)鍵詞：脈沖激光沉積鍍膜機(jī)PLD PVD
公司同類產(chǎn)品
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磁控濺射鍍膜機(jī)Sputter
應(yīng)用域：巨磁電阻（GMR）、組合材料科學(xué)（CMS）、半導(dǎo)體、超導(dǎo)體、納米器件、光子學(xué)、光伏（PV）、OLED（發(fā)光二管）、有機(jī)薄膜 更多詳細(xì) -
熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)Thermal Evaporation
設(shè)備用途：熱蒸發(fā)是指把待鍍膜的基片或工件置于真空室內(nèi)，通過對(duì)鍍膜材料加熱使其蒸發(fā)氣化而沉積于基體或工件表面并形成薄膜或涂層的工藝過程。可在高真空下蒸發(fā)高質(zhì)量的不同厚度的金屬薄膜。蒸鍍薄膜種類：Au, 更多詳細(xì) -
電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)E-Beam
產(chǎn)品介紹
1.系統(tǒng)主要由蒸發(fā)室、主抽過渡管路、旋轉(zhuǎn)基片架、光加熱系統(tǒng)、電子槍及電源、石英晶體振蕩膜厚監(jiān)控儀、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)等部分組成
2.設(shè)備用途：本系統(tǒng) 更多詳細(xì) -
高真空電子束及熱阻蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)
產(chǎn)品概述：
高真空電子束及熱阻蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)主要由蒸發(fā)真空室、E型電子槍、熱阻蒸發(fā)組件、旋轉(zhuǎn)基片加熱臺(tái)、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、真空測(cè)量、安裝機(jī)臺(tái)及電控系統(tǒng)等部分組成，自動(dòng)控制軟件系統(tǒng)。
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