外延系統(tǒng)產(chǎn)品及廠家

分子束外延MBE
gen10™ mbe 系統(tǒng)是成熟平臺(tái)中經(jīng)濟(jì)、靈活的簇狀工具系統(tǒng)，允許多達(dá)三個(gè)可配置的、特定于材料的生長(zhǎng)模塊。這使得系統(tǒng)利用率高，允許多個(gè)研究人員同時(shí)使用該系統(tǒng)，并在無(wú)人值守的情況下進(jìn)行生長(zhǎng)和校準(zhǔn)。這與 veeco 組件技術(shù)相結(jié)合，是 mbe 社區(qū)選擇 gen10™ mbe 系統(tǒng)的關(guān)鍵因素，無(wú)論應(yīng)用是什么。
更新時(shí)間:2024-08-14
分子束外延MBE
屢獲殊榮的新型 genxcel™ 系統(tǒng)是在 genxplor 的基礎(chǔ)上進(jìn)行的擴(kuò)展，genxplor™ 是自 2013 年 8 月推出以來(lái)暢銷(xiāo)的 mbe 系統(tǒng)，與 genxpl
更新時(shí)間:2024-08-14
分子束外延MBE
veeco 的 gen20™ mbe 系統(tǒng)是一種超靈活的工具，其設(shè)計(jì)可針對(duì) iii-v 族和新興材料進(jìn)行配置，包括需要集成電子束技術(shù)的應(yīng)用。該系統(tǒng)采用生產(chǎn)設(shè)計(jì)技術(shù)，允許可選的集群工具晶圓傳輸系統(tǒng)，以實(shí)現(xiàn)理想的實(shí)驗(yàn)室到晶圓廠遷移。
更新時(shí)間:2024-08-14
分子束外延MBE
veeco 的 gen200® mbe 系統(tǒng)是當(dāng)市場(chǎng)上具成本效益和高容量的多 4 英寸生產(chǎn) mbe 系統(tǒng)。該系統(tǒng)在用于泵浦激光器、vcsel 和 hbt 等設(shè)備的生長(zhǎng)中提供卓越的吞吐量、長(zhǎng)時(shí)間的加工周期和出色的晶圓質(zhì)量。
更新時(shí)間:2024-08-14
分子束外延MBE
gen2000® mbe 系統(tǒng)提供卓越的吞吐量、更長(zhǎng)的活動(dòng)周期、更小的占地面積和集群工具晶圓處理。它是 hbt 和 phemt 等無(wú)線通信設(shè)備大批量生產(chǎn)以及需要以低擁有成本生產(chǎn) 6 英寸的新興應(yīng)用的理想選擇。
更新時(shí)間:2024-08-14
超高真空激光分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)
產(chǎn)品概述：超高真空激光分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)由真空腔室（外延室、進(jìn)樣室）、樣品傳遞機(jī)構(gòu)、樣品架、立式旋轉(zhuǎn)靶臺(tái)、基片加熱臺(tái)、抽氣系統(tǒng)、真空測(cè)量、工作氣路、電控系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)控制等各部分組成。設(shè)備用
更新時(shí)間:2024-08-13
SiC分子外延系統(tǒng)MBE
epiluvac 產(chǎn)品通常作為完整的系統(tǒng)交付，包括反應(yīng)器模塊、氣體輸送系統(tǒng)、過(guò)程控制、安全系統(tǒng)、安裝和調(diào)試。每個(gè)系統(tǒng)在發(fā)貨都經(jīng)過(guò)廣泛的測(cè)試，一旦安裝，交付還包括所有必要的客戶(hù)操作和維護(hù)培訓(xùn)。
更新時(shí)間:2024-08-13
分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)
分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)mbe 8000旨在滿(mǎn)足對(duì)高性能化合物半導(dǎo)體器件日益增長(zhǎng)的需求。這種在超高壓環(huán)境中使用超純金屬的 8×6ʺ 或 4×8ʺ 固源 mbe 系統(tǒng)在設(shè)計(jì)、溫度均勻性和通量均勻性方面超出了先進(jìn)的基本預(yù)期。該系統(tǒng)能夠培養(yǎng) 8 個(gè) 150 毫米（6 英寸）晶圓或 4 個(gè) 200 毫米（8 英寸）晶圓的批次，這些晶圓具有顯著的均勻性（成分、厚度）和非常低的缺陷水平。
更新時(shí)間:2024-08-13
Riber分子束外延系統(tǒng)
riber分子束外延系統(tǒng)的 multi 4“ / 6” mbe 6000 是全球每個(gè)成功的大批量商家或內(nèi)部 epi 操作的核心。它是高通量和可重復(fù)性的mbe基準(zhǔn)；顒(dòng)時(shí)間通常超過(guò)一年，這證明了反應(yīng)堆的穩(wěn)定性和可靠性。沒(méi)有比riber的新客戶(hù)和長(zhǎng)期客戶(hù)重復(fù)下訂單更有力的認(rèn)可了。有許多晶圓廠配備了 2 – 8 個(gè) mbe 6000,24 / 7 并排運(yùn)行。初，系統(tǒng)主要用于制造大量微波器件材料。
更新時(shí)間:2024-08-12
MBE分子束外延
自新千年到來(lái)之推出以來(lái)，compact 21 已成為有史以來(lái)成功的商用 3 英寸 mbe 系統(tǒng)。憑借核心 compact 21 dna 在所有配置（iii-v、ii-vi、gp iv、氧化物、金屬、gsmbe）中都很明顯，該多功能系統(tǒng)在從基礎(chǔ)研究到設(shè)備開(kāi)發(fā)和優(yōu)化的每個(gè)研究域都得到了卓越的服務(wù)。它多可容納 12 個(gè)源端口，并且與電子槍兼容。這款整潔而強(qiáng)大的反應(yīng)器可提供手動(dòng)或全自動(dòng)
更新時(shí)間:2024-08-09
RIBER分子束外延4 英寸中試生產(chǎn)系統(tǒng)
riber 的 mbe 412 正受到越來(lái)越多與工業(yè)合作伙伴合作開(kāi)展應(yīng)用項(xiàng)目的關(guān)鍵研究機(jī)構(gòu)的關(guān)注。這種興趣的增加部分歸因于 4 英寸（或 3 x 2 英寸）容量在這種類(lèi)型的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系中受到青
更新時(shí)間:2024-08-09
Riber分子束外延系統(tǒng)
riber mbe 49 系列全自動(dòng)生產(chǎn)機(jī)器為材料質(zhì)量、產(chǎn)量、產(chǎn)量以及與操作和維護(hù)相關(guān)的成本設(shè)定了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。超過(guò)55個(gè)這樣的系統(tǒng)已經(jīng)在全球范圍內(nèi)交付，他們?yōu)榭蛻?hù)帶來(lái)的成功使該系列反應(yīng)器獲得了廣泛持有和當(dāng)之無(wú)愧的聲譽(yù)，因?yàn)樗剐碌幕衔锇雽?dǎo)體器件技術(shù)的商業(yè)化能夠在其他地方無(wú)與倫比的范圍和規(guī)模上實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。mbe 49 系列有四個(gè)反應(yīng)器，門(mén)設(shè)計(jì)用于沉積砷化物、磷化物、氮化物和氧化物。
更新時(shí)間:2024-08-09
8英寸多片硅外延系統(tǒng)
ses系列 8英寸多片硅外延系統(tǒng)適用于 5-150 微米范圍的硅外延工藝
更新時(shí)間:2024-06-21
8英寸單片常壓/減壓硅外延系統(tǒng)
esther/eris 系列 8英寸單片常壓/減壓硅外延系統(tǒng)傳輸系統(tǒng)和工藝模塊設(shè)計(jì)可兼容多種工藝用途友好的人機(jī)交互和安全性設(shè)計(jì)保障系統(tǒng)穩(wěn)定、安全、高效具有單腔和多腔兩種機(jī)型，可滿(mǎn)足不同客戶(hù)需求
更新時(shí)間:2024-06-21
12英寸減壓選擇性外延系統(tǒng)
hesper ⅱ e630r plus 12英寸減壓選擇性外延系統(tǒng)多區(qū)紅外加熱協(xié)同激光微區(qū)補(bǔ)償，溫場(chǎng)均勻可控
更新時(shí)間:2024-06-21
12英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)
hesper e230a 12英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)優(yōu)異的氣流場(chǎng)和加熱場(chǎng)設(shè)計(jì)提供優(yōu)良的工藝性能
更新時(shí)間:2024-06-21
12英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)
hesper i e430r 12英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)優(yōu)異的氣流場(chǎng)和加熱場(chǎng)設(shè)計(jì)提供優(yōu)良的工藝性能
更新時(shí)間:2024-06-21
碳化硅外延系統(tǒng)
mars ice115 碳化硅外延系統(tǒng)薄膜和厚膜外延兼容，工藝穩(wěn)定性高
更新時(shí)間:2024-06-21
多片碳化硅外延系統(tǒng)
mars ice120 多片碳化硅外延系統(tǒng)產(chǎn)能大，6 英寸運(yùn)營(yíng)成本低
更新時(shí)間:2024-06-21

最新產(chǎn)品
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