原子層沉積系統(tǒng)產(chǎn)品及廠家
itan具有反應離子刻蝕(rie)配置、高密度電感耦合等離子沉積(hdicp)或等離子增強型化學汽相沉積(pecvd)配置。可對單個基片或帶承片盤的基片(3”-300mm)進行處理。它還具有多尺寸批量處理功能。價格適宜且占地面積小。
更新時間:2024-10-21
oracle iii由中央真空傳輸系統(tǒng)(cvt)、真空盒升降機和最多四個工藝反應室構成。這些工藝反應室與中央負載鎖對接，既能夠以生產(chǎn)模式運行，也能夠作為單個系統(tǒng)獨立作業(yè)。 oracle iii是市場上最靈活的系統(tǒng)，既可以為實驗室環(huán)境進行配置(使用單基片裝卸)，也可以為批量生產(chǎn)進行配置(使用真空盒升降機進行基片傳送)。
更新時間:2024-10-21
minilock-orion iii是一套最先進的等離子增強型化學汽相沉積(pecvd)系統(tǒng)。 系統(tǒng)的下電極尺寸可為200mm或300mm，且根據(jù)電極配置，可以處理單個基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸)，或者多尺寸批量處理基片(4x3”; 3x4”; 7x2”)？沙练e的薄膜包括：氧化物、氮氧化物、無定形硅和碳化硅。
更新時間:2024-10-21
picosun®r-200 advanced ald系統(tǒng)適用于數(shù)十種應用的研發(fā)，例如ic組件，mems器件，顯示器，led，激光和3d對象，例如透鏡，光學器件，珠寶，硬幣和醫(yī)療植入物。
更新時間:2024-08-26
picosun®p-300b ald系統(tǒng)是專為生產(chǎn)mems設備（例如打印頭，傳感器和麥克風）以及各種3d物品（例如機械零件，玻璃或金屬薄板，硬幣，手表零件和珠寶，鏡片，光學器件以及醫(yī)療設備和植入物。
更新時間:2024-08-26
picosun獨特的突破性ald專業(yè)知識可追溯到ald技術本身的誕生。于1974年在芬蘭發(fā)明了ald方法，并在工業(yè)上獲得了。在高質(zhì)量ald系統(tǒng)設計方面擁有豐富的經(jīng)驗。
更新時間:2024-08-26
nld-3500（m）原子層沉積系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術，具有廣泛的應用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ald原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上
更新時間:2024-03-28
nld-3000原子層沉積系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術，具有廣泛的應用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ald原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上。
更新時間:2024-03-28
nano-master針對ingan及algan沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)(pa-mocvd),該系統(tǒng)具有5個鼓泡裝置(各帶獨立的冷卻槽)、加熱的氣體管路、950度樣品臺三個氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的rf射頻等離子源以及工藝終端的n2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵(5 x 10-7torr極限真空)、pc全自動控制，完全的安全互鎖。
更新時間:2024-03-28
nano-master(那諾-馬斯特)noc-4000光學涂覆系統(tǒng)提供最先進的技術，系統(tǒng)的設計也可以支持其中任一個腔體的單獨使用，同時具備各自的自動上/下載片功能。在一個腔體中實現(xiàn)原子級清洗和光學樣片拋光，然后把樣片傳送到第二級腔體中對同一樣片進行表面涂覆，整個過程不間斷真空。
更新時間:2024-03-28
nte-4000（a）全自動熱蒸發(fā)系統(tǒng)概述：nano-master nte-4000是一款pc計算機控制的全自動立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機物和金屬沉積方面具有廣泛的應用。設備的設計經(jīng)過非常慎重的考慮:在小的占地面積情況下實現(xiàn)干凈、均勻、可控及可重復的工藝過程。它們具有低價格, 高性能以及高能力的特點，可滿足于客戶研發(fā)及小規(guī)模生產(chǎn)的應用要求。 nte-4000熱蒸發(fā)系統(tǒng)可以在設定的rms電流下，或者在閉環(huán)的配置下操作，并且在這種情況下沉積速度的變化被用于調(diào)節(jié)rms電流以維持恒定的沉積速度。
更新時間:2024-03-28
nld-3500（a）全自動原子層沉積系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術，具有廣泛的應用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ald原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上。
更新時間:2024-03-28
npe-4000（icpm）icpecvd等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)概述：nano-master icpecvd系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的sio2, si3n4, 或dlc薄膜到最大可達6” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢.樣品臺可以通過rf或脈沖dc產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，腔體可以達到低至10-7 torr的真空。標準配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個mfc.帶有獨一無二氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統(tǒng)可以覆蓋最廣的可能性來獲得各種沉積參數(shù)。
更新時間:2024-03-28
nld-4000（icpm）peald系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術，具有廣泛的應用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ald原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上。
更新時間:2024-03-28
npe-4000（icpa）全自動icpecvd等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)概述：nano-master icpecvd系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的sio2, si3n4, 或dlc薄膜到最大可達6” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢.樣品臺可以通過rf或脈沖dc產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，腔體可以達到低至10-7 torr的真空。標準配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個mfc.帶有獨一無二氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統(tǒng)可以覆蓋最廣的可能性來獲得各種沉積參數(shù)。
更新時間:2024-03-28
npe-3500 pecvd等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)概述：nano-master pecvd系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的sio2, si3n4, 或dlc薄膜到最大可達12” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢.樣品臺可以通過rf或脈沖dc產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，腔體可以達到低至10-7 torr的真空。標準配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個mfc.帶有獨一無二氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統(tǒng)可以覆蓋最廣的可能性來獲得各種沉積參數(shù)。
更新時間:2024-03-28
npe-3000 pecvd等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)概述：nano-master pecvd系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量的sio2, si3n4, 或dlc薄膜到最大可達12” 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢.樣品臺可以通過rf或脈沖dc產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵，腔體可以達到低至10-7 torr的真空。標準配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個mfc.帶有獨一無二氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統(tǒng)可以覆蓋最廣的可能性來獲得各種沉積參數(shù)。
更新時間:2024-03-28
nld-4000（icpa）全自動peald系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術，具有廣泛的應用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ald原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上。
更新時間:2024-03-28
nld-4000（a）全自動原子層沉積系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術，具有廣泛的應用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ald原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上。
更新時間:2024-03-28
nld-4000（m）原子層沉積系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術，具有廣泛的應用。ald原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結構的保形沉積，這方面ald原子層沉積遠超過其它沉積技術。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ald原子層沉積中有序、自限制的表面反應將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ald原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供卓越的薄膜性能。ald原子層工藝也可以實現(xiàn)到大基片上
更新時間:2024-03-28
1、實驗中心：提供免費實驗服務（特殊材料實驗除外），幫助客戶了解電爐設備及實驗物品的性能等參數(shù)。(新用戶限免費實驗1次，老用戶*)。2、技術咨詢：免費為客戶提供電爐設備與實驗材料相關的技術咨詢、常規(guī)技術服務等，設備配件更換，僅收成本費。3、非標訂制：可根據(jù)實際客戶需要訂制爐膛尺寸，配置相應的對應規(guī)格配件
更新時間:2023-09-01
專業(yè)定制的高頻電子控制紫外光源，光照均勻，無閃爍，延長燈管壽命全電腦控制所有操作過程，高度程序化（電腦控制暗箱電源/紫外1、2及白光燈的開關/光圈/變焦/焦距）
更新時間:2023-03-20
美國svt公司ald原子層沉積系統(tǒng)自1990年來薄膜淀積設備制造商。擁有獨立的室內(nèi)實驗室用于材料研究和工藝開發(fā)。提供廣泛的服務，包括淀積設備、淀積部件、集成傳感器以及工藝控制設備制造和工藝技術的高度結合，為客戶提供的技術服務實驗室7臺應用淀積設備生長出的材料多條設備生產(chǎn)線幾乎覆蓋了整個薄膜淀積設備市場在薄膜淀積領域擁有超過120臺設備的供應商。
更新時間:2021-11-25
veeco(之前稱之為cambridge nanotech)已經(jīng)有15年以上的ald研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗。2003年cambridge nanotech成立于哈佛大學，05年搬到boston并生產(chǎn)出thermal ald - savannah, 之后生產(chǎn)出plasam ald - fuji、批量生產(chǎn)ald-phoenix。2017年被veeco收購，并更新了batch hvm ald - firebird。至今為止，veeco在ald設備已有15年多的經(jīng)驗，全球已安裝五百多臺ald設備。
更新時間:2020-05-27
veeco(之前稱之為cambridge nanotech)已經(jīng)有15年以上的ald研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗。2003年cambridge nanotech成立于哈佛大學，05年搬到boston并生產(chǎn)出thermal ald - savannah, 之后生產(chǎn)出plasam ald - fuji、批量生產(chǎn)ald-phoenix。2017年被veeco收購，并更新了batch hvm ald - firebird。至今為止，veeco在ald設備已有15年多的經(jīng)驗，全球已安裝五百多臺ald設備。
更新時間:2020-05-27
veeco(之前稱之為cambridge nanotech)已經(jīng)有15年以上的ald研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗。2003年cambridge nanotech成立于哈佛大學，05年搬到boston并生產(chǎn)出thermal ald - savannah, 之后生產(chǎn)出plasam ald - fuji、批量生產(chǎn)ald-phoenix。2017年被veeco收購，并更新了batch hvm ald - firebird。至今為止，veeco在ald設備已有15年多的經(jīng)驗，全球已安裝五百多臺ald設備。
更新時間:2020-05-27
veeco(之前稱之為cambridge nanotech)已經(jīng)有15年以上的ald研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗。2003年cambridge nanotech成立于哈佛大學，05年搬到boston并生產(chǎn)出thermal ald - savannah, 之后生產(chǎn)出plasam ald - fuji、批量生產(chǎn)ald-phoenix。2017年被veeco收購，并更新了batch hvm ald - firebird。至今為止，veeco在ald設備已有15年多的經(jīng)驗，全球已安裝五百多臺ald設備。
更新時間:2020-05-27
此產(chǎn)品廣泛應用于：半導體、納米材料、鈉米科技、薄膜材料、薄膜沉積以及航空航天領域。 picosun公司是一個國際化的設備制造商，在全球有銷售和服務機構.我們開發(fā)和制造原子層沉積反應器用于微米和納米技術應用。picosun為客戶提供用戶友好，可靠及多產(chǎn)的ald工藝工具，提供從研發(fā)到生產(chǎn)的工業(yè)放大。picosun基地在芬蘭的espoo，美國總部在detroit。sunale型ald工藝工具被用于歐州、美國及亞洲前沿的科學機構、公司。
更新時間:2020-05-26
neocera公司的使命是為研究新型先進薄膜材料和器件的科學家和工程師提供服務。我們通過以下手段來實現(xiàn)此目標：
更新時間:2020-05-26
ion beam assisted deposition (離子輔助沉積) 離子輔助沉積已經(jīng)成為在無規(guī)取向的基片或無定形基片上沉積雙軸結構薄膜的一種重要技術 高性能的ibad(離子輔助沉積)系統(tǒng)
更新時間:2020-05-26
原子層沉積（atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關聯(lián)的，這種方式使每次反應只沉積一層原子。
更新時間:2020-05-26
原子層沉積（atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關聯(lián)的，這種方式使每次反應只沉積一層原子
更新時間:2020-05-26
深圳北斗芯微科技有限公司是一家專業(yè)pcb線路板設計，芯片解密和oem代工的的公司，主要從事:pcb layout；pcb改板，電路板克。ǔ澹；pcb轉(zhuǎn)原理圖，bom單制作； 各類電路板制板；樣機制作、調(diào)試，pcb批量生產(chǎn)，防抄板技術，半成品加工，oem代工生產(chǎn)，芯片解密等 。公司擁有一批具有多年線路板設計經(jīng)驗的專業(yè)技術精英，對多層pcb板有極 其詳盡透徹的了解，對含有激光孔、盲孔、埋孔的高端pcb板結構及走線規(guī)則的 理解更是勝人一籌。無論是元件密集，遍布微帶線、等長線的電腦主板、高端顯卡板、千兆網(wǎng)絡設備基板，或是對高頻處理要求苛刻，電磁兼容性控制嚴格的小靈通主板、手機主板、無線網(wǎng)卡、藍牙板、路由器及其他無線通訊設備，以及疊層多達30多層pcb板，盲孔埋孔密布的工控主板，我們都能依據(jù)客戶提供的一套完好樣板一次性克隆成功。
更新時間:2012-07-18
最新產(chǎn)品
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