晶體管特性圖示儀產(chǎn)品及廠家
上海祥樹(shù)，只做歐洲原裝進(jìn)口！（1流的報(bào)價(jià)速度+優(yōu)惠的價(jià)格+100%原裝進(jìn)口）我司業(yè)供應(yīng)歐洲工控產(chǎn)品、儀器儀表及備品備件，歡迎來(lái)電咨詢。
更新時(shí)間:2024-12-19
南京頌儒儀器設(shè)備有限公司大量供應(yīng) 日本flow-cell流量計(jì)nflt-rflt-h型 fly-h型 flw-m型 flg型flt-hab型 nflt-r型 nfly-rc型 nfly-r型fdt-n型 fdy-n型 fdg-nc型dnt-s型 dny-s型 dng-s型 dig-s型
更新時(shí)間:2024-12-18
普賽斯雙性源測(cè)數(shù)字源表自主研發(fā)生產(chǎn)，對(duì)標(biāo)美國(guó)2400，b2901；可實(shí)現(xiàn)“源”的輸出和“表”的測(cè)量同步進(jìn)行，提高測(cè)試效率；支持四象限工作，測(cè)量范圍廣，電壓高300v，電流低至100pa；支持usb存儲(chǔ)
更新時(shí)間:2024-12-17
源表搭建四探針?lè)y(cè)量半導(dǎo)體電阻率實(shí)驗(yàn)找普賽斯儀表，武漢普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度源表（smu），可以在輸出電流時(shí)測(cè)試電壓，也可以在輸出電壓時(shí)測(cè)試電流。輸出電流范圍從皮安到安培可控，測(cè)量電壓分辨率 高達(dá)微伏。支持四線開(kāi)爾文模式，適用于四探針測(cè)試，可以簡(jiǎn)化測(cè)試連接，得到z確的測(cè)試結(jié)果。
更新時(shí)間:2024-12-17
數(shù)字源表搭建半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管iv特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)的主要目的是通過(guò)實(shí)驗(yàn)幫助工程師提取半導(dǎo)體器件的基本 i-v 特性參數(shù)，并在整個(gè)工藝流程結(jié)束后評(píng)估器件的優(yōu)劣。在半導(dǎo)體制程的多個(gè)階段都有應(yīng)用，如金屬互連，鍍層階段，芯片封裝后的測(cè)試等。
更新時(shí)間:2024-12-17
p系列0-10a脈沖式數(shù)字源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，z大脈沖輸出電流達(dá)10a，z大輸出電壓達(dá)300v，支持四象限工作
更新時(shí)間:2024-12-17
脈沖iv測(cè)試儀是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，z大脈沖輸出電流達(dá)10a，z大輸出電壓達(dá)300v，支持四象限工作
更新時(shí)間:2024-12-17
阻值測(cè)試本質(zhì)上是fimv（加電流測(cè)電壓）或fvmi（加電壓測(cè)電流），獲取iv曲線后計(jì)算阻值。數(shù)字源表應(yīng)用之氣敏電阻iv測(cè)試的更多信息找普賽斯儀表員為您解答
更新時(shí)間:2024-12-17
武漢普賽斯半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀之?dāng)?shù)字源表，特別適用于精密電壓源和電流源驅(qū)動(dòng)，且同時(shí)進(jìn)行電流與電壓測(cè)量的測(cè)試應(yīng)用。所有源表皆提供精密的電壓和電流源測(cè)量能力。每個(gè)源表均由一個(gè)高穩(wěn)定的直流源和一個(gè)真儀器的5位半多功能表組成。該電源特性包括：低噪聲，高精度和回讀功能。萬(wàn)用表功能包括高重復(fù)性和低噪音。其結(jié)果
更新時(shí)間:2024-12-17
半導(dǎo)體i-v特性曲線分析儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，廠家直銷、服務(wù)完善！普賽斯s型源表國(guó)產(chǎn)自主研發(fā)，單通道，不支持脈沖輸出，觸摸屏操作，支持多種通訊方式，rs-232、gpib及以太網(wǎng)；z大輸出電壓達(dá)300v，小電流分辨率10pa，支持usb存儲(chǔ)
更新時(shí)間:2024-12-17
半導(dǎo)體電性能測(cè)試儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，國(guó)產(chǎn)自主研發(fā)，廠家直銷！性價(jià)比高，測(cè)試范圍更廣，輸出電壓高達(dá)300v，支持usb存儲(chǔ)，一鍵導(dǎo)出報(bào)告，符合大環(huán)境下國(guó)內(nèi)技術(shù)自給的需求，可及時(shí)與客戶溝通，為客戶提供高性價(jià)比系統(tǒng)解決方案，及時(shí)指導(dǎo)客戶編程，加速測(cè)試系統(tǒng)開(kāi)發(fā)
更新時(shí)間:2024-12-17
p系列分辨率1pa國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表，匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能，z大脈沖輸出電流達(dá)10a，z大輸出電壓達(dá)300v，支持四象限工作，因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。p系列源表適用于各行各業(yè)使用者，特別適合現(xiàn)代半導(dǎo)體、納米器件和材料、有機(jī)半導(dǎo)體、印刷電子技術(shù)以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。
更新時(shí)間:2024-12-17
激光二管liv特性測(cè)試數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表，普賽斯開(kāi)發(fā)的liv 測(cè)試系統(tǒng)采用 國(guó)產(chǎn) s 型數(shù)字源表 為核心，結(jié)合測(cè)試軟件以及第三方設(shè)備積分球探測(cè)器完成 ld 的 liv 測(cè)試。系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、精度高、k靠性好、速度快，提高生產(chǎn)效率的同時(shí)也增加了測(cè)試精度和k靠性，并且降低了測(cè)試成本。
更新時(shí)間:2024-12-17
普賽斯儀表太陽(yáng)能電池放電掃描曲線儀可對(duì)每個(gè)電池單元獨(dú)立或順序iv特性測(cè)試，顯示iv特性曲線和isc, voc, pmax, ff, η和電池表面溫度等參數(shù)，每個(gè)電池單元測(cè)試結(jié)果可以保存在一個(gè)excel文件中，可進(jìn)行對(duì)電池表面均勻性分布進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析。
更新時(shí)間:2024-12-17
數(shù)字源表iv掃描光伏電池板認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，普賽斯的測(cè)試方案通過(guò)自主研發(fā)的軟件可對(duì)每個(gè)電池單元獨(dú)立或順序iv特性測(cè)試，顯示iv特性曲線和isc, voc, pmax, ff, η和電池表面溫度等參數(shù)，每個(gè)電池單元測(cè)試結(jié)果可以保存在一個(gè)excel文件中，可進(jìn)行對(duì)電池表面均勻性分布進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析。
更新時(shí)間:2024-12-17
數(shù)字源表搭建集成電路實(shí)驗(yàn)平臺(tái)的目的：通過(guò)實(shí)驗(yàn)動(dòng)手操作，加深對(duì)半導(dǎo)體物理理論知識(shí)的理解，掌握半導(dǎo)體材料和不同器件性能的表征方法及基本實(shí)驗(yàn)技能，培養(yǎng)分析問(wèn)題和解決問(wèn)題的能力。
更新時(shí)間:2024-12-17
spa-6100半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)cv+iv曲線掃描儀可以幫助用戶根據(jù)測(cè)試需要，靈活選配測(cè)量單元進(jìn)行升。產(chǎn)品支持z高1200v電壓、100a大電流、1pa小電流分辨率的測(cè)量，同時(shí)檢測(cè)10khz至1mhz范圍內(nèi)的多頻ac電容測(cè)量
更新時(shí)間:2024-12-17
微弱電流電壓數(shù)字源表集合電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載的功能于一身，廣泛用于各類精密器件的測(cè)量。支持四象限工作，可作為源或負(fù)載
更新時(shí)間:2024-12-17
武漢普賽斯對(duì)標(biāo)2400國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表s300型，特別適用于精密電壓源和電流源驅(qū)動(dòng)，且同時(shí)進(jìn)行電流與電壓測(cè)量的測(cè)試應(yīng)用。所有源表皆提供精密的電壓和電流源測(cè)量能力。每個(gè)源表均由一個(gè)高穩(wěn)定的直流源和一個(gè)真儀器的5位半多功能表組成。
更新時(shí)間:2024-12-17
dt307-qt2/centerqt2半導(dǎo)體管特性圖示儀可測(cè)量二極管、三極管的低頻直流參數(shù)，大集電極電流超過(guò)50a，能滿足500va以下器件的測(cè)試。
更新時(shí)間:2024-12-13
全不銹鋼制內(nèi)管波紋管外徑Ø20mm*1.5或6分兩種，長(zhǎng)度1米。一般用于活動(dòng)點(diǎn)，當(dāng)使用綜合電纜時(shí)，每活動(dòng)點(diǎn)至少用2-3根（可定做1.5米和2米）
更新時(shí)間:2024-12-13
本儀器用于演示剛體的滾動(dòng)。四個(gè)圓柱質(zhì)量相同，但上部?jī)蓚(gè)圓柱的質(zhì)量分布集中在四周，下部?jī)蓚(gè)圓柱的質(zhì)量分布相對(duì)均勻。
更新時(shí)間:2024-12-13
dt307-xj4822 crt讀出圖示儀，外觀新穎，技術(shù)先進(jìn)，操作方便，能對(duì)各類二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管等靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。
更新時(shí)間:2024-12-13
本儀器是晶閘管斷態(tài)電壓及斷態(tài)電流、反向電壓及反向電流(irsm、irrm)的測(cè)試設(shè)備。適用于各種晶閘管、整流管及晶閘管、整流管模塊的參數(shù)測(cè)試。本儀器設(shè)計(jì)先進(jìn)，操作簡(jiǎn)便，采用數(shù)字表顯示測(cè)試結(jié)果，具有精度高，重復(fù)性好，對(duì)被測(cè)器件自動(dòng)保護(hù)等特點(diǎn)。其測(cè)試原理符合gb4024-83標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定，是電力半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠和使用單位理想的檢測(cè)設(shè)備。
更新時(shí)間:2024-12-13
半導(dǎo)體管晶體管特性測(cè)試儀采用示波管顯示半導(dǎo)體器件的各種特性曲線。本儀器具有二簇曲線顯示，雙向集電極掃描功能，可以對(duì)被測(cè)半導(dǎo)體器件的特性進(jìn)行對(duì)比分析，便于晶體管的配對(duì)。
更新時(shí)間:2024-12-13
dt307-bw4810/4810a型半導(dǎo)體管特性圖示儀采用示波管顯示半導(dǎo)體器件的各種特性曲線，并測(cè)量其靜態(tài)參數(shù)。本儀器具有二簇曲線顯示，雙向集電掃描電路，可以對(duì)被測(cè)半導(dǎo)體器件的特司長(zhǎng)進(jìn)行對(duì)比分析，便于對(duì)管或配件配對(duì)。
更新時(shí)間:2024-12-13
陜西天士立科技有限公司/std2000/晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)可以測(cè)試si,sic,gan & igbt、mosfet、diode、bjt、scr等電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)和iv曲線（如擊穿電壓v(br)ces/v(br)dss、漏電流ices/lges/igss/ldss、閾值電壓/vge(th)、開(kāi)啟電壓/vce(on)、跨導(dǎo)/gfe/gfs、壓降/vf、導(dǎo)通內(nèi)阻rds(on)）。
更新時(shí)間:2024-11-05
陜西天士立科技有限公司/std2000/晶體管圖示儀&曲線追蹤掃描儀可以測(cè)試si,sic,gan & igbt、mosfet、diode、bjt、scr等電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)和iv曲線（如擊穿電壓v(br)ces/v(br)dss、漏電流ices/lges/igss/ldss、閾值電壓/vge(th)、開(kāi)啟電壓/vce(on)、跨導(dǎo)/gfe/gfs、壓降/vf、導(dǎo)通內(nèi)阻rds(on)）
更新時(shí)間:2024-11-05
半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)能測(cè)試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓v(br)ces/v(br)dss、漏電流ices/lges/igss/ldss、閾值電壓/vge(th)、開(kāi)啟電壓/vce(on)、跨導(dǎo)/gfe/gfs、壓降/vf、導(dǎo)通內(nèi)阻rds(on)）。測(cè)試種類覆蓋 7 大類別26分類，包括“二管類”“三管類（如bjt、mosfet、igbt）”“保護(hù)類器件”“穩(wěn)壓集成類”
更新時(shí)間:2024-11-05
sti5000c/sti5300c晶體管圖示儀；進(jìn)口大功率高精度晶體管圖示儀，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體分立器件封裝測(cè)試，制造企業(yè)的半導(dǎo)體器件分立來(lái)料檢驗(yàn)，半導(dǎo)體失效分析實(shí)驗(yàn)，高等院校和研究所教學(xué)科研等。
更新時(shí)間:2024-10-30
itc55100 半導(dǎo)體測(cè)試儀；itc55100c 型號(hào)是新一代的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)系列 itc55100 測(cè)試儀。該系統(tǒng)是圍繞一個(gè)非常強(qiáng)大的微控制器設(shè)計(jì)的，它的時(shí)序分辨率為40ns，比代型號(hào)快20倍。
更新時(shí)間:2024-10-30
itc75100 晶體管圖示儀；itc75100 是一種增強(qiáng)的未夾式電感負(fù)載 （uil） 測(cè)試系統(tǒng)，它基于 itc 行業(yè)先的 itc55 系列測(cè)試儀的成功，增加了額外的測(cè)試和測(cè)量能力。
更新時(shí)間:2024-10-30
泰克370b晶體管圖示儀；大電流-控制設(shè)置為200 ma時(shí)，step amplitude設(shè)置為20x，step amplitude設(shè)置為10x。
更新時(shí)間:2024-10-30
sti5000c/sti5300c晶體管圖示儀；進(jìn)口大功率高精度晶體管圖示儀，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體分立器件封裝測(cè)試，制造企業(yè)的半導(dǎo)體器件分立來(lái)料檢驗(yàn)，半導(dǎo)體失效分析實(shí)驗(yàn)，高等院校和研究所教學(xué)科研等。
更新時(shí)間:2024-10-30
itc75100 晶體管圖示儀；itc75100 是一種增強(qiáng)的未夾式電感負(fù)載 （uil） 測(cè)試系統(tǒng)，它基于 itc 行業(yè)先的 itc55 系列測(cè)試儀的成功，增加了額外的測(cè)試和測(cè)量能力。
更新時(shí)間:2024-10-30
泰克370b晶體管圖示儀；大電流-控制設(shè)置為200 ma時(shí)，step amplitude設(shè)置為20x，step amplitude設(shè)置為10x。
更新時(shí)間:2024-10-30
泰克371a晶體管圖示儀；交互式可編程控制；自動(dòng)光標(biāo)測(cè)量；掃描測(cè)量模式
更新時(shí)間:2024-10-30
1.該儀器在標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體特性圖示儀基礎(chǔ)上進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)，具有體積小，可靠性高，使用簡(jiǎn)便的特點(diǎn)。 2.具有交替測(cè)量顯示功能，可同時(shí)顯示二極管的正、反相特性。 3.最高集電極掃描電壓可達(dá)5kv，最大電流可達(dá)2a，基本滿足了家用電器中各類半導(dǎo)體器件的測(cè)試需要。 4.適用三極管、二極管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅、穩(wěn)壓管和三端穩(wěn)壓器等參數(shù)設(shè)定。
更新時(shí)間:2024-10-18
dy294 晶體管直流參數(shù)測(cè)試儀 功能及技術(shù)指標(biāo) 功能 量程顯示范圍分辨力工作條件擊穿電壓v（br）1000v0～01999a1v擊
更新時(shí)間:2024-06-15
hustec-580首件檢測(cè)儀系統(tǒng)首件測(cè)試 1. 新建待測(cè)首件測(cè)試報(bào)表 2. 將待測(cè)首件放入檢測(cè)儀內(nèi)，對(duì)首件圖片進(jìn)行拍照，并自動(dòng)識(shí)別空焊元件 3. 開(kāi)始測(cè)試阻容感元件并自動(dòng)判定pass,fail(有聲光報(bào)警) 4. 對(duì)ic、三極管、二極管等不可測(cè)量元件，可調(diào)出元件庫(kù)進(jìn)行型號(hào)規(guī)格方向?qū)Ρ?
更新時(shí)間:2024-02-23
功率半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)適合各大研究所做元器件檢驗(yàn)以及在線開(kāi)發(fā)器件做生產(chǎn)測(cè)試。系統(tǒng)可擴(kuò)展性強(qiáng)，通過(guò)選件可以提高電壓、電流的測(cè)試能力和增加測(cè)試品種范圍。自動(dòng)快速測(cè)試可以滿足用戶大生產(chǎn)需要，故障率低也保證了用戶的生產(chǎn)效率。
更新時(shí)間:2024-02-23
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試儀升級(jí)擴(kuò)展性強(qiáng)，通過(guò)選件可提高電壓電流，和增加測(cè)試品種范圍。支持電壓電流階梯升級(jí)至2000v,1250a;采用脈沖測(cè)試法，脈沖寬度為美軍標(biāo)規(guī)定的300us.
更新時(shí)間:2024-02-23
igbt功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀主機(jī)可執(zhí)行非破壞性的瞬態(tài)測(cè)量測(cè)試，包括對(duì)半導(dǎo)體器件絕緣柵雙極晶體管（igbt），功率mosfet，二極管，雙極型器件的測(cè)試頭。主機(jī)包括所有測(cè)試設(shè)備和必要的軟件分析，可執(zhí)行電阻和電感的開(kāi)關(guān)時(shí)間，開(kāi)關(guān)損耗，柵極電荷，trr /的qrr和其他瞬態(tài)測(cè)試。
更新時(shí)間:2024-02-23
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)系統(tǒng)采用帶有開(kāi)爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座，自動(dòng)補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測(cè)試電纜長(zhǎng)度引起的任何壓降，保證各種情況下測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確可靠。
更新時(shí)間:2024-02-23
動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)該套測(cè)試設(shè)備主要可測(cè)試以下參數(shù)：適用于電流不超過(guò)1500a、電壓不超過(guò)3500v的igbt開(kāi)關(guān)時(shí)間的測(cè)試。設(shè)備的相關(guān)電壓、電流等參數(shù)可根據(jù)客戶要求定制。
更新時(shí)間:2024-02-23
雪崩能量測(cè)試儀廠家itc55100雪崩能量測(cè)試儀是原成功產(chǎn)品itc5510的升級(jí)版本，它能執(zhí)行itc5510系列的所有測(cè)試，同時(shí)增加了許多功能，如提高測(cè)試精度，測(cè)試結(jié)果的收集，查看測(cè)試結(jié)果，連接多個(gè)被測(cè)品。itc55100可以用來(lái)對(duì)功率mosfet和igbt的耐用性測(cè)試。 它還能測(cè)試單，雙二極管，使用itc55 rsf輸出選擇器盒還可以測(cè)量igbt的正向和反向偏置。
更新時(shí)間:2024-02-23
功率循環(huán)測(cè)試儀系統(tǒng)該系統(tǒng)是一套動(dòng)態(tài)綜合測(cè)試系統(tǒng)、測(cè)試參數(shù)多、精度高、 具有過(guò)流、過(guò)熱、水壓不足等保護(hù)功能。具有連續(xù)工作的特點(diǎn)，測(cè)試程序由計(jì)算機(jī)控制，程序設(shè)定完成后可自動(dòng)測(cè)試， 系統(tǒng)采用內(nèi)控和外控兩種方式。便于工作人員操作。
更新時(shí)間:2024-02-23
臺(tái)式桌面型smt首件檢測(cè)儀系統(tǒng)將bom，坐標(biāo)及圖紙進(jìn)行完美核對(duì)，實(shí)時(shí)顯示檢測(cè)情況，避免漏檢，可方便根據(jù)誤差范圍 對(duì)元件值合格值自動(dòng)判定，對(duì)多貼，錯(cuò)料，極性和封裝進(jìn)行方便檢查；傳統(tǒng)方式完全依靠人員把關(guān)，容 易出錯(cuò)。
更新時(shí)間:2024-02-23
hustec-1600a-mt是一款大功率器件參數(shù)測(cè)試儀，可用于igbt單管及模塊，sic器件，mos管，二極管等功率器件的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。
更新時(shí)間:2024-02-23
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